假冒伪劣与缺陷防控
视觉与包装检查
电气性能验证
服务邮箱
[email protected]
>
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 件 新原装 现货
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
请求报价
(明天发货)
*数量
最低1
最低1
5.0 / 5.0
- (94 评分)
IPP041N12N3GXKSA1
产品概述
12803539
零件编号
IPP041N12N3GXKSA1-DG
IPP041N12N3GXKSA1
描述
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3库存
200457 件 新原装 现货
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
数量
最低1
最低1
购买与咨询
保修与退货
如何订购
配送与送货
质量保证
365天品质保障 - 每个部件都全力支持
90 天退款或换货 - 有缺陷的部件？无需烦恼。
库存有限，立即订购——放心获取可靠零件。
全球运输与安全包装
全球3-5个工作日内发货
100% 防静电包装
每个订单的实时跟踪
安全灵活的支付
信用卡, VISA, 万事达卡, PayPal, 西联汇款, 电汇(T/T)及其他
所有支付已加密，确保安全
IPP041N12N3GXKSA1 技术规格
类别
晶体管, 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
包装
Tube
系列
OptiMOS™
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
120 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
120A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 270µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
13800 pF @ 60 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
PG-TO220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP041
数据表和文档
HTML 数据表
IPP041N12N3GXKSA1-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
附加信息
标准套餐
50
其他名称
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
十二月 02, 2025
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
十二月 02, 2025
Die Betreuung nach dem Kauf bei DiGi Electronics war vorbildlich. Bei einem Problem wurde mir umgehend eine Lösung angeboten.
十二月 02, 2025
信頼できるサポートで、製品の長寿命化に役立っています。
十二月 02, 2025
Their affordable prices make it easy to get dependable electronics without breaking the bank.
十二月 02, 2025
Order tracking is seamless, providing real-time updates on delivery status.
十二月 02, 2025
The entire delivery process, from packaging to logistics updates, was top-tier.
十二月 02, 2025
Their packaging materials seem to be specially chosen to withstand rough handling, safeguarding my goods.
十二月 02, 2025
The navigation experience is fluid, making shopping stress-free.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
常见问题解答（FAQ）
英飞凌OptiMOS™ N沟道MOSFET（IPP041N12N3GXKSA1）的主要特性有哪些？
该MOSFET支持120V的漏极到源极电压，25°C时连续漏极电流达120A，具有4.1毫欧的低导通阻抗（Rds On），适用于大功率开关应用。采用TO-220-3封装设计，便于安装，性能可靠。
这款120V 120A的MOSFET适用于哪些应用领域？
该MOSFET非常适合用于电源变换器、电机驱动和高电流开关电路，尤其在需要高效电能管理和良好热性能的场合。其坚固设计确保在苛刻的电子系统中具有良好的耐用性。
这款N沟道MOSFET是否与现有电子设计兼容？
是的，IPP041N12N3GXKSA1与标准门极驱动电压兼容，门极阈值为4V，适用于各种开关电源设计和嵌入式系统。
选择英飞凌OptiMOS™系列MOSFET的优势有哪些？
OptiMOS™ MOSFET以其低导通阻抗（Rds On）、高效率和优异的热性能著称，有助于降低功耗，提升系统整体的可靠性。
该款MOSFET产品提供哪些保修与支持服务？
作为主动符合RoHS3标准的产品，提供制造商的支持与品质保障。采用现货供应，确保您的项目能够快速获得所需产品。
质量保证 (QC)
DiGi 通过专业检测和批量抽检，确保每个电子元件的品质和真伪，保证可靠的采购、稳定的性能以及符合技术规格，帮助客户降低供应链风险，安心使用元件进行生产。
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
