假冒伪劣与缺陷防控
视觉与包装检查
电气性能验证
服务邮箱
[email protected]
>
FCH043N60
onsemi
MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3
1411 件 新原装 现货
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
请求报价
(明天发货)
*数量
最低1
最低1
5.0 / 5.0
- (328 评分)
FCH043N60
产品概述
12839481
零件编号
FCH043N60-DG制造商
onsemi
FCH043N60
描述
MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3库存
1411 件 新原装 现货
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
数量
最低1
最低1
购买与咨询
保修与退货
如何订购
配送与送货
质量保证
365天品质保障 - 每个部件都全力支持
90 天退款或换货 - 有缺陷的部件？无需烦恼。
库存有限，立即订购——放心获取可靠零件。
全球运输与安全包装
全球3-5个工作日内发货
100% 防静电包装
每个订单的实时跟踪
安全灵活的支付
信用卡, VISA, 万事达卡, PayPal, 西联汇款, 电汇(T/T)及其他
所有支付已加密，确保安全
FCH043N60 技术规格
类别
晶体管, 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
包装
-
系列
SuperFET® II
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
75A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 38A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
215 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
12225 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
592W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247-3
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
FCH043
数据表和文档
数据表
FCH043N60
HTML 数据表
FCH043N60-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
附加信息
标准套餐
30
其他名称
ONSONSFCH043N60
2156-FCH043N60-OS
替代零件
零件编号
制造商
可用数量
部件编号
单价
替代类型
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
十二月 02, 2025
Jede Erfahrung bei DiGi Electronics bestätigt die hohe Produktverlässlichkeit und Preis-Transparenz.
十二月 02, 2025
The packaging quality exceeded my expectations, sturdy and visually appealing at the same time.
十二月 02, 2025
I appreciate the company's efforts in using packaging that minimizes environmental impact, paired with quick logistics.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
常见问题解答（FAQ）
ON Semiconductor的FCH043N60 MOSFET的主要特性和规格是什么？
FCH043N60是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），额定电压为600V，连续漏极电流在25°C时为75A。其在38A电流和10V栅极电压下具有43毫欧姆的低导通电阻（Rds On），适用于高压大功率应用。该器件采用TO-247-3封装，穿通孔安装方式，工作温度范围为-55°C至150°C。
ON Semiconductor的FCH043N60 MOSFET适用于高压开关应用吗？
适用，FCH043N60专为高压开关设计，漏极-源极电压达600V，且在散热良好的情况下，功率耗散能达到最大592W，非常适合用于电能转换和逆变电路。
FCH043N60 MOSFET是否兼容标准栅极驱动电压？
是的，此MOSFET最大栅极-源极电压为±20V，建议驱动电压为10V，确保在各种开关电路中具有可靠的性能表现。
使用SuperFET® II系列MOSFET如FCH043N60有哪些优势？
SuperFET® II系列MOSFET具有低导通电阻、高电压耐受性和较高的功率耗散能力，提高了开关效率和热性能，有助于降低系统能量损耗。
我可以在哪些渠道获取FCH043N60 MOSFET的支持或购买？其供应情况如何？
FCH043N60目前库存为1,638个，适用于多种高压大功率应用。虽然已列为停产，但仍可通过授权经销商购买，此外还可以考虑替代型号如SIHG64N65E-GE3或IXTQ18N60P。
质量保证 (QC)
DiGi 通过专业检测和批量抽检，确保每个电子元件的品质和真伪，保证可靠的采购、稳定的性能以及符合技术规格，帮助客户降低供应链风险，安心使用元件进行生产。
FCH043N60 CAD Models
onsemi FCH043N60 PCB symbols & footprints
productDetail
