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FDMA530PZ
onsemi
MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
29408 件 新原装 现货
P-Channel 30 V 6.8A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
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FDMA530PZ
产品概述
12851153
零件编号
FDMA530PZ-DG制造商
onsemi
FDMA530PZ
描述
MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET库存
29408 件 新原装 现货
P-Channel 30 V 6.8A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
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FDMA530PZ 技术规格
类别
晶体管, 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
PowerTrench®
产品状态
Active
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
6.8A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1070 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.4W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
6-MicroFET (2x2)
包装 / 外壳
6-WDFN Exposed Pad
基本产品编号
FDMA530
数据表和文档
数据表
FDMA530PZ
HTML 数据表
FDMA530PZ-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
FDMA530PZTR
2156-FDMA530PZ-OS
FDMA530PZCT
FDMA530PZDKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
十二月 02, 2025
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十二月 02, 2025
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十二月 02, 2025
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常见问题解答（FAQ）
onsemi FDMA530PZ P沟道金属氧化物场效应晶体管的主要特性和规格有哪些？
FDMA530PZ为一款额定漏极-源极电压为30V的P沟道MOSFET，连续漏极电流为6.8A，在10V栅源电压下，导通电阻（Rds On）低至35毫欧。其设计适用于表面贴装，封装为6-MicroFET（2x2）型号。
onsemi FDMA530PZ MOSFET可以应用于哪些领域？
这款MOSFET广泛应用于电子设备中的电源管理、负载开关以及电机控制，尤其适合需要高效切换和低导通电阻的场合。
onsemi FDMA530PZ是否兼容标准电路电压和控制信号？
是的，FDMA530PZ的最大栅源电压（Vgs）为±25V，推荐驱动电压为4.5V至10V，从而保证最佳的导通性能，兼容常用的逻辑控制电路。
在我的项目中使用onsemi FDMA530PZ MOSFET有哪些优势？
该MOSFET具有低导通电阻、高功率散热能力（最高可达2.4W）以及宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），保证在复杂环境下的稳定可靠性能。
onsemi FDMA530PZ是否配备可靠的封装和符合相关标准？
是的，产品采用符合ROHS3标准的6-WDFN暴露焊盘封装，提供带带式包装（tape & reel）便于表面贴装，并符合多项行业标准与法规。
质量保证 (QC)
DiGi 通过专业检测和批量抽检，确保每个电子元件的品质和真伪，保证可靠的采购、稳定的性能以及符合技术规格，帮助客户降低供应链风险，安心使用元件进行生产。
FDMA530PZ CAD Models
onsemi FDMA530PZ PCB symbols & footprints
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