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MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
688400 件 新原装 现货
N-Channel 80 V 20A (Ta), 110A (Tc) 3.8W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS6H824NLT1G

产品概述

12938856

零件编号

NVMFS6H824NLT1G-DG

制造商

onsemi
NVMFS6H824NLT1G

描述

MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN

库存

688400 件 新原装 现货
N-Channel 80 V 20A (Ta), 110A (Tc) 3.8W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS6H824NLT1G 技术规格

类别 晶体管, 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET

制造商 onsemi

包装 Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

系列 -

产品状态 Active

FET 类型 N-Channel

科技 MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压 (Vdss) 80 V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A (Ta), 110A (Tc)

驱动电压(最大 rds on,最小 rds on) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (最大值) @ Id 2V @ 140µA

栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V

Vgs (最大值) ±20V

输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 40 V

FET 特性 -

功率耗散(最大值) 3.8W (Ta), 116W (Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)

年级 Automotive

资格 AEC-Q101

安装类型 Surface Mount

供应商设备包 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

包装 / 外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads

基本产品编号 NVMFS6

数据表和文档

数据表

NVMFS6H824NL

HTML 数据表

NVMFS6H824NLT1G-DG

环境与出口分类

RoHS 状态 ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL) 1 (Unlimited)
REACH 状态 REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

附加信息

标准套餐
1,500
其他名称
488-NVMFS6H824NLT1GTR
488-NVMFS6H824NLT1GCT
488-NVMFS6H824NLT1GDKR

替代零件

零件编号
制造商
可用数量
部件编号
单价
替代类型
RS6N120BHTB1
Rohm Semiconductor
2573
RS6N120BHTB1-DG
0.4224
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十二月 02, 2025
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常见问题解答(FAQ)

onsemi NVMFS6H824NLT1G MOSFET的主要特性有哪些?

该N沟道MOSFET具有80V的漏源电压(Vds),在25°C时连续漏电流达20A,10V栅源电压(Vgs)时导通电阻(Rds On)仅为4毫欧,适用于高效能的功率开关应用。

onsemi NVMFS6H824NLT1G MOSFET适用于汽车工程项目吗?

是的,这款MOSFET通过了AEC-Q101认证,符合汽车行业的严苛标准,确保在复杂环境中具有可靠性能。

这款表面贴装N沟道MOSFET的典型应用领域有哪些?

广泛应用于电源管理、电机控制、LED照明及其他需要高电流切换和低导通电阻的电路中。

我应如何正确操作和安装onsemi NVMFS6H824NLT1G MOSFET?

该MOSFET采用5-DFN封装,适合表面贴装。操作时须采取静电防护措施,并确保在PCB板上精准放置,以发挥最佳性能。

onsemi NVMFS6H824NLT1G是否提供保修或售后支持?

是的,此款MOSFET为全新原装现货产品,提供正规的销售渠道和售后服务支持,通过授权经销商及onsemi客户服务获取帮助。

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