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LMG1205YFXT
Texas Instruments
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA
2180 件 新原装 现货
Half-Bridge Gate Driver IC TTL 12-DSBGA
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LMG1205YFXT
产品概述
1344643
零件编号
LMG1205YFXT-DG
LMG1205YFXT
描述
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA库存
2180 件 新原装 现货
Half-Bridge Gate Driver IC TTL 12-DSBGA
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LMG1205YFXT 技术规格
类别
电源管理 (PMIC), 门驱动器
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
-
产品状态
Active
DiGi-Electronics 可编程
Not Verified
从动配置
Half-Bridge
通道类型
Independent
驱动程序数量
2
浇口类型
N-Channel MOSFET
电压 - 电源
4.5V ~ 5.5V
逻辑电压 - VIL、VIH
1.76V, 1.89V
电流 - 峰值输出（源、灌）
1.2A, 5A
输入类型
TTL
高压侧电压 - 最大值 （Bootstrap）
100 V
Rise / Fall Time （Typ） （上升/下降时间 （典型值））
7ns, 3.5ns
工作温度
-40°C ~ 125°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
12-WFBGA, DSBGA
供应商设备包
12-DSBGA
基本产品编号
LMG1205
数据表和文档
制造商产品页面
LMG1205YFXT Specifications
HTML 数据表
LMG1205YFXT-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
附加信息
标准套餐
250
其他名称
296-49744-2
296-49744-1
296-49744-6
LMG1205YFXT-DG
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
十二月 02, 2025
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常见问题解答（FAQ）
德州仪器（Texas Instruments）LMG1205YFXT半桥门极驱动芯片的主要特性有哪些？
LMG1205YFXT 是一款双通道表面贴装半桥门极驱动器，专为N沟道MOSFET设计，支持4.5V至5.5V的电源电压，具备高达1.2A的源极峰值电流和5A的漏极峰值电流，提供超快的上升和下降时间，确保高效切换性能。其工作温度范围为-40°C至125°C，适用于多种应用场景。
德州仪器（Texas Instruments）LMG1205YFXT是否适用于多种电源管理应用？
是的，这款芯片非常适合需要精准门极驱动的电源管理应用，包括电机控制、电源供应以及太阳能逆变器。其独立通道设计增强了其在不同电路拓扑结构中的适用性和灵活性。
LMG1205YFXT的物理规格和封装细节有哪些？
LMG1205YFXT采用紧凑的12-WFBGA（DSBGA）表面贴装封装，便于集成到各种设计中。符合RoHS3标准，具有抗潮湿等级1，适合在高可靠性制造环境中使用。
LMG1205YFXT在速度和效率方面表现如何？
该门极驱动器的上升时间为7纳秒，下降时间为3.5纳秒，支持高速切换，减少能量损耗，有助于提升整体电能转换效率，适合高性能电源设计。
购买LMG1205YFXT包是否包含支持和保修服务？
由于该芯片为全新原装现货，品质可靠，供应商提供相应的支持和售后服务。建议在购买前咨询经销商，了解详细的保修政策和售后服务，以确保您的应用系统长期稳定运行。
质量保证 (QC)
DiGi 通过专业检测和批量抽检，确保每个电子元件的品质和真伪，保证可靠的采购、稳定的性能以及符合技术规格，帮助客户降低供应链风险，安心使用元件进行生产。
LMG1205YFXT CAD Models
Texas Instruments LMG1205YFXT PCB symbols & footprints
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