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TPHR6503PL1,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
68029 件 新原装 现货
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
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TPHR6503PL1,LQ
产品概述
12994845
零件编号
TPHR6503PL1,LQ-DG
TPHR6503PL1,LQ
描述
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ库存
68029 件 新原装 现货
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
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TPHR6503PL1,LQ 技术规格
类别
晶体管, 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
U-MOSIX-H
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
150A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.65mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.1V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
10000 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
960mW (Ta), 210W (Tc)
工作温度
175°C
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-SOP Advance (5x5.75)
包装 / 外壳
8-PowerTDFN
数据表和文档
数据表
TPHR6503PL1
HTML 数据表
TPHR6503PL1,LQ-DG
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
附加信息
标准套餐
5,000
其他名称
264-TPHR6503PL1LQDKR
264-TPHR6503PL1LQCT
TPHR6503PL1,LQ(M
264-TPHR6503PL1LQTR
Reviews
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十二月 02, 2025
신속한 배송과 친절한 애프터서비스 덕분에 자주 구매하게 됩니다. 항상 신뢰하고 있습니다.
十二月 02, 2025
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十二月 02, 2025
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十二月 02, 2025
配送が迅速で、サポートも丁寧でした。とても満足です。
十二月 02, 2025
The detailed logistics tracking updates from DiGi Electronics make it easy to monitor shipment progress.
十二月 02, 2025
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十二月 02, 2025
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常见问题解答（FAQ）
东芝UMOS9 SOP-ADV N沟道MOSFET的主要应用领域是什么？
此款MOSFET主要用于大电流开关应用，如电源管理、马达驱动和逆变器系统，因其具有高电流容量和低导通阻抗（Rds On）。
东芝U-MOSIX-H系列MOSFET是否兼容标准贴片电路板设计？
是的，采用8脚SOP Advancе表面贴装封装，适合标准PCB组装及紧凑型设计。
这款N沟道MOSFET的主要电气参数有哪些？
支持30V漏源电压，25°C时连续最大漏电流达150A，50A电流时导通阻抗（Rds On）仅为0.65毫欧（mΩ），在10V栅源电压（Vgs）下表现出色，确保高效导通性能。
该MOSFET能否在高温环境下稳定工作，其最大工作温度是多少？
可以，最大工作温度高达175°C，适合严苛工业电力应用环境。
东芝这款MOSFET是否提供批量采购的质保及库存保障？
产品处于正常供应状态，现有库存超过68,514件。作为全新原装产品，通常附带厂家质保，支持批量采购与售后服务。
质量保证 (QC)
DiGi 通过专业检测和批量抽检，确保每个电子元件的品质和真伪，保证可靠的采购、稳定的性能以及符合技术规格，帮助客户降低供应链风险，安心使用元件进行生产。
TPHR6503PL1,LQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1,LQ PCB symbols & footprints
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