SIR472DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIR472DP-T1-GE3

产品概述

12786733

零件编号

SIR472DP-T1-GE3-DG

制造商

Vishay Siliconix
SIR472DP-T1-GE3

描述

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

库存

在线询价
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
单个场效应晶体管, MOSFET
SIR472DP-T1-GE3 数据表
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SIR472DP-T1-GE3 技术规格

类别 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET

制造商 Vishay

包装 -

系列 TrenchFET®

产品状态 Obsolete

FET 类型 N-Channel

科技 MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压 （Vdss） 30 V

电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C 20A (Tc)

驱动电压（最大 rds on，最小 rds on） 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs（th） （最大值） @ Id 2.5V @ 250µA

栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs 23 nC @ 10 V

Vgs （最大值） ±20V

输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds 820 pF @ 15 V

FET 特性 -

功率耗散（最大值） 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 Surface Mount

供应商设备包 PowerPAK® SO-8

包装 / 外壳 PowerPAK® SO-8

基本产品编号 SIR472

数据表和文档

数据表

下载 SIR472DP-T1-GE3 产品规格 (PDF)
数据表

SIR472DP
HTML 数据表

SIR472DP-T1-GE3-DG

环境与出口分类

RoHS 状态 ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL） 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
SIR472DP-T1-GE3DKR
SIR472DPT1GE3
SIR472DP-T1-GE3TR
SIR472DP-T1-GE3CT

替代模型

零件编号
制造商
可用数量
部件编号
单价
替代类型
BSC120N03MSGATMA1
Infineon Technologies
28843
BSC120N03MSGATMA1-DG
0.19
MFR Recommended
CSD17327Q5A
Texas Instruments
2500
CSD17327Q5A-DG
0.33
MFR Recommended
RS1E130GNTB
Rohm Semiconductor
1178
RS1E130GNTB-DG
0.16
MFR Recommended
BSC120N03LSGATMA1
Infineon Technologies
33689
BSC120N03LSGATMA1-DG
0.17
MFR Recommended
数字证书
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
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