SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (82 评分)

SIRA18DP-T1-GE3

产品概述

12786491

零件编号

SIRA18DP-T1-GE3-DG

制造商

Vishay Siliconix
SIRA18DP-T1-GE3

描述

MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

库存

111 件 新原装 现货
N-Channel 30 V 33A (Tc) 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
单个场效应晶体管, MOSFET
SIRA18DP-T1-GE3 数据表
数量
最低1

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有货 (所有价格均为美元)
  • 数量 目标价格 总价格
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  • 6000 0.20 1217.33
  • 9000 0.19 1708.92
  • 30000 0.19 5580.00
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SIRA18DP-T1-GE3 技术规格

类别 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET

制造商 Vishay

包装 Tape & Reel (TR)

系列 TrenchFET®

产品状态 Active

FET 类型 N-Channel

科技 MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压 （Vdss） 30 V

电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C 33A (Tc)

驱动电压（最大 rds on，最小 rds on） 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs（th） （最大值） @ Id 2.4V @ 250µA

栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs 21.5 nC @ 10 V

Vgs （最大值） +20V, -16V

输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds 1000 pF @ 15 V

FET 特性 -

功率耗散（最大值） 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 Surface Mount

供应商设备包 PowerPAK® SO-8

包装 / 外壳 PowerPAK® SO-8

基本产品编号 SIRA18

数据表和文档

数据表

下载 SIRA18DP-T1-GE3 产品规格 (PDF)
数据表

SIRA18DP
HTML 数据表

SIRA18DP-T1-GE3-DG
产品图纸

PowerPak SO-8 Drawing

环境与出口分类

RoHS 状态 ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL） 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
SIRA18DPT1GE3
SIRA18DP-T1-GE3TR
SIRA18DP-T1-GE3DKR
2266-SIRA18DP-T1-GE3
SIRA18DP-T1-GE3CT

替代模型

零件编号
制造商
可用数量
部件编号
单价
替代类型
RS3E095BNGZETB
Rohm Semiconductor
2500
RS3E095BNGZETB-DG
0.29
MFR Recommended
RXH070N03TB1
Rohm Semiconductor
2498
RXH070N03TB1-DG
0.32
MFR Recommended
RS1E130GNTB
Rohm Semiconductor
1178
RS1E130GNTB-DG
0.16
MFR Recommended
RS1E150GNTB
Rohm Semiconductor
2280
RS1E150GNTB-DG
0.18
MFR Recommended
数字证书
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
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