SISS26LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SISS26LDN-T1-GE3

产品概述

12787662

零件编号

SISS26LDN-T1-GE3-DG

制造商

Vishay Siliconix
SISS26LDN-T1-GE3

描述

MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK

库存

4119 件 新原装 现货
N-Channel 60 V 23.7A (Ta), 81.2A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
单个场效应晶体管, MOSFET
SISS26LDN-T1-GE3 数据表
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SISS26LDN-T1-GE3 技术规格

类别 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET

制造商 Vishay

包装 Tape & Reel (TR)

系列 TrenchFET® Gen IV

产品状态 Active

FET 类型 N-Channel

科技 MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压 （Vdss） 60 V

电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C 23.7A (Ta), 81.2A (Tc)

驱动电压（最大 rds on，最小 rds on） 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs（th） （最大值） @ Id 2.5V @ 250µA

栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs 48 nC @ 10 V

Vgs （最大值） ±20V

输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds 1980 pF @ 30 V

FET 特性 -

功率耗散（最大值） 4.8W (Ta), 57W (Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 Surface Mount

供应商设备包 PowerPAK® 1212-8S

包装 / 外壳 PowerPAK® 1212-8S

基本产品编号 SISS26

数据表和文档

数据表

下载 SISS26LDN-T1-GE3 产品规格 (PDF)
数据表

SISS26LDN Datasheet
HTML 数据表

SISS26LDN-T1-GE3-DG

环境与出口分类

RoHS 状态 ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL） 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
SISS26LDN-T1-GE3CT
SISS26LDN-T1-GE3DKR
SISS26LDN-T1-GE3TR
数字证书
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
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