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SQ2309ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
71400 件 新原装 现货
P-Channel 60 V 1.7A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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SQ2309ES-T1_GE3
产品概述
12786161
零件编号
SQ2309ES-T1_GE3-DG制造商
Vishay Siliconix
SQ2309ES-T1_GE3
描述
MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236库存
71400 件 新原装 现货
P-Channel 60 V 1.7A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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SQ2309ES-T1_GE3 技术规格
类别
晶体管, 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
包装
-
系列
TrenchFET®
数据表和文档
数据表
SQ2309ES
HTML 数据表
SQ2309ES-T1_GE3-DG
替代模型
零件编号
制造商
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十二月 02, 2025
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十二月 02, 2025
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常见问题解答（FAQ）
Vishay SQ2309ES-T1_GE3 P沟道MOSFET的主要特性有哪些？
Vishay SQ2309ES-T1_GE3是一款表面贴装的P沟道MOSFET，额定电压为60V，连续漏极电流为1.7A，适用于高效电源开关，具有低导通电阻和高可靠性。
我可以在什么电子设备或电路中使用SQ2309ES-T1_GE3 MOSFET？
该MOSFET适用于笔记本电脑、电源管理、负载切换和电机控制电路，广泛应用于各种电子设备中，因其体积紧凑的SOT-23-3封装设计。
Vishay SQ2309ES-T1_GE3是否与其他电子元件和电路兼容？
是的，SQ2309ES-T1_GE3与标准的SOT-23-3封装要求兼容，能集成到需要高效P沟道MOSFET以实现高速开关的电路中。
采用TrenchFET®技术的这款MOSFET有什么优势？
TrenchFET®技术提供更低的导通电阻和更高的效率，有助于减少功率损耗，提升开关应用中的整体性能。
我在哪可以购买Vishay SQ2309ES-T1_GE3 MOSFET？售后支持有哪些选择？
该MOSFET在授权电子元件供应商处有现货供应。如需售后支持或保修服务，请联系销售商或Vishay客服获取详细帮助。
SQ2309ES-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQ2309ES-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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