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SQ2318AES-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
78615 件 新原装 现货
N-Channel 40 V 8A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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SQ2318AES-T1_GE3
产品概述
12787703
零件编号
SQ2318AES-T1_GE3-DG制造商
Vishay Siliconix
SQ2318AES-T1_GE3
描述
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3库存
78615 件 新原装 现货
N-Channel 40 V 8A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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SQ2318AES-T1_GE3 技术规格
类别
晶体管, 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
TrenchFET®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
40 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
8A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
555 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-23-3 (TO-236)
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
SQ2318
数据表和文档
数据表
SQ2318AES
HTML 数据表
SQ2318AES-T1_GE3-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
SQ2318AES-T1_GE3DKR
SQ2318AES-T1_GE3CT
SQ2318AES-T1_GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
十二月 02, 2025
価格が安い上に、発送も迅速で、非常に満足しています。リピート確定です。
十二月 02, 2025
I appreciate the consistent quality across all products I’ve purchased.
十二月 02, 2025
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十二月 02, 2025
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十二月 02, 2025
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常见问题解答（FAQ）
Vishay SQ2318AES-T1_GE3 N沟道MOSFET的主要特性有哪些？
Vishay SQ2318AES-T1_GE3是一款高性能的N沟道MOSFET，具有40V漏源电压、8A连续电流及31毫欧的低导通阻抗（Rds On），适用于各种高效电源开关应用。
Vishay SQ2318AES-T1_GE3是否适用于汽车应用？
是的，该MOSFET专为汽车工业设计，符合AEC-Q101标准，能够在-55°C至175°C的温度范围内可靠工作。
SQ2318AES-T1_GE3采用何种封装方式？
该MOSFET采用SOT-23-3（TO-236）表面贴装封装，适合紧凑型设计和自动化印刷电路板组装。
低导通阻抗（Rds On）对电路设计有哪些好处？
较低的导通阻抗可以减少导通损耗，提高电路效率，降低发热量，对于高性能电源管理尤为关键。
购买Vishay SQ2318AES-T1_GE3库存芯片有何保障？
所有产品均为全新正品，库存充足，能够为您的电子项目或生产需求提供可靠的供应和质量保障。
质量保证 (QC)
DiGi 通过专业检测和批量抽检，确保每个电子元件的品质和真伪，保证可靠的采购、稳定的性能以及符合技术规格，帮助客户降低供应链风险，安心使用元件进行生产。
SQ2318AES-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQ2318AES-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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