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SUD20N10-66L-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
32788 件 新原装 现货
N-Channel 100 V 16.9A (Tc) 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount TO-252
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SUD20N10-66L-GE3
产品概述
12785999
零件编号
SUD20N10-66L-GE3-DG制造商
Vishay Siliconix
SUD20N10-66L-GE3
描述
MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252库存
32788 件 新原装 现货
N-Channel 100 V 16.9A (Tc) 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount TO-252
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SUD20N10-66L-GE3 技术规格
类别
晶体管, 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
TrenchFET®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
16.9A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
66mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
860 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
SUD20
数据表和文档
HTML 数据表
SUD20N10-66L-GE3-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
附加信息
标准套餐
2,000
其他名称
SUD20N10-66L-GE3CT
SUD20N10-66L-GE3DKR
SUD20N10-66L-GE3TR
SUD20N10-66L-GE3-DG
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
十二月 02, 2025
Timely delivery from DiGi Electronics helps us plan effectively.
十二月 02, 2025
The long-term stability of their products is undeniable; I've used their supplies for over a year without any failure.
十二月 02, 2025
Their electronics are designed to withstand heavy use, maintaining excellent reliability.
十二月 02, 2025
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十二月 02, 2025
Help tutorials available on the site are detailed and easy to follow.
十二月 02, 2025
Delivery was prompt, and the packaging kept everything in perfect condition.
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常见问题解答（FAQ）
Vishay SUD20N10-66L-GE3 N沟道MOSFET的主要特性有哪些？
该MOSFET最大漏源电压为100V，连续漏电流为16.9A，Rds On（导通电阻）低至66毫欧，专为表面贴装高功率开关应用设计，具备优秀的散热能力与可靠性。
SUD20N10-66L-GE3是否适用于大电流开关应用？
是的，具备16.9A的持续漏电流和高达2.1W（环境温度）及41.7W（芯片温度）的散热能力，非常适合在电源管理电路中进行大电流开关控制。
这款N沟道MOSFET支持哪些电压等级？
该器件支持最大100V的漏源电压（Vds），适用于多种电压切换和电源控制场景。
Vishay SUD20N10-66L-GE3是否兼容不同的门极驱动电压？
是的，可在最大±20V的门极-源极电压范围内驱动，推荐的驱动电压为4.5V和10V，以实现最佳的Rds On性能，具有良好的电路适应性。
该MOSFET采用什么封装，符合哪些标准？
采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，符合ROHS3环保标准，支持自动化生产，具有1级湿度敏感度等级（MSL 1）。
质量保证 (QC)
DiGi 通过专业检测和批量抽检，确保每个电子元件的品质和真伪，保证可靠的采购、稳定的性能以及符合技术规格，帮助客户降低供应链风险，安心使用元件进行生产。
SUD20N10-66L-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SUD20N10-66L-GE3 PCB symbols & footprints
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