SUM110P04-04L-E3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (201 评分)

SUM110P04-04L-E3

产品概述

13010043

零件编号

SUM110P04-04L-E3-DG

制造商

Vishay Siliconix
SUM110P04-04L-E3

描述

MOSFET P-CH 40V 110A TO263

库存

12214 件 新原装 现货
P-Channel 40 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
单个场效应晶体管, MOSFET
SUM110P04-04L-E3 数据表
数量
最低1

购买与咨询

询价 (Request for Quotations)

您可以直接在产品详情页或RFQ页面提交您的RFQ询价。我们的销售团队将在24小时内回复您的请求。

付款方式

我们提供多种便捷的支付方式，包括PayPal（推荐给新客户）、信用卡和以美元、欧元、港元等进行的电汇（T/T）。

重要通知

在您发送询价请求后，您将会在收件箱中收到关于我们收到您的询问的邮件。如果您没有收到，可能是我们的邮件地址被错误地识别为垃圾邮件。请检查您的垃圾邮件文件夹，并将我们的邮箱地址 [email protected] 添加到您的白名单中，以确保您能收到我们的报价。由于库存和价格可能波动，我们的销售团队需要重新确认您的询价或订单，并及时通过邮件向您发送任何更新。如果您有任何其他问题或需要额外的帮助，请随时告知我们。

有货 (所有价格均为美元)
  • 数量 目标价格 总价格
  • 800 1.99 1590.30
通过在线询价获得更优价格
请求报价(明天发货)
数量
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您

SUM110P04-04L-E3 技术规格

类别 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET

制造商 Vishay

包装 Tape & Reel (TR)

系列 TrenchFET®

包装 Tape & Reel (TR)

零件状态 Active

FET 类型 P-Channel

科技 MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压 （Vdss） 40 V

电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C 110A (Tc)

驱动电压（最大 rds on，最小 rds on） 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs（th） （最大值） @ Id 3V @ 250µA

栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs 350 nC @ 10 V

Vgs （最大值） ±20V

输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds 11200 pF @ 25 V

FET 特性 -

功率耗散（最大值） 3.75W (Ta), 375W (Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型 Surface Mount

供应商设备包 TO-263 (D2PAK)

包装 / 外壳 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

基本产品编号 SUM110

数据表和文档

数据表

下载 SUM110P04-04L-E3 产品规格 (PDF)
HTML 数据表

SUM110P04-04L-E3-DG
数字证书
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
相关产品
博客与文章
集成电路技术的最新进展：五大前沿技术分析
1月 18 2025
电感技术的进步：LTCC 和高频谐振转换器的创新应用
1月 18 2025
电路保护：确保工业和汽车电子系统安全的关键技术
1月 18 2025