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SUM110P04-04L-E3
SUM110P04-04L-E3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
2441 件 新原装 现货
P-Channel 40 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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SUM110P04-04L-E3 Vishay Siliconix
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SUM110P04-04L-E3

产品概述

13010043

零件编号

SUM110P04-04L-E3-DG

制造商

Vishay Siliconix
SUM110P04-04L-E3

描述

MOSFET P-CH 40V 110A TO263

库存

2441 件 新原装 现货
P-Channel 40 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
单个场效应晶体管, MOSFET
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SUM110P04-04L-E3 技术规格

类别 晶体管, 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET

制造商 Vishay

包装 Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

系列 TrenchFET®

包装 Tape & Reel (TR)

零件状态 Active

FET 类型 P-Channel

科技 MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压 （Vdss） 40 V

电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C 110A (Tc)

驱动电压（最大 rds on，最小 rds on） 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs（th） （最大值） @ Id 3V @ 250µA

栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs 350 nC @ 10 V

Vgs （最大值） ±20V

输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds 11200 pF @ 25 V

FET 特性 -

功率耗散（最大值） 3.75W (Ta), 375W (Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型 Surface Mount

供应商设备包 TO-263 (D2PAK)

包装 / 外壳 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

基本产品编号 SUM110

数据表和文档

数据表

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SUM110P04-04L-E3-DG

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常见问题解答（FAQ）

Vishay SUM110P04-04L-E3 MOSFET的主要特性有哪些？
Vishay SUM110P04-04L-E3是一款P沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），额定漏极-源极电压为40V，连续漏极电流为110A，适用于高功率开关应用。该器件在30A、10V条件下具有4.2毫欧姆的低Rds(on)值，确保高效性能。采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，适合紧凑型电子设计。
Vishay SUM110P04-04L-E3 MOSFET是否与标准电路兼容？
是的，这款MOSFET在4.5V至10V的逻辑驱动电压范围内工作，与大多数标准电源管理电路兼容。其低Rds(on)和大电流容量使其非常适合高效切换和电源调节应用。
Vishay SUM110P04-04L-E3 MOSFET适用于哪些应用领域？
该P沟道MOSFET广泛应用于电源供应、电机控制、负载开关及其他高电流、高电压的开关电路中。凭借其高电流容量和良好的热稳定性，非常适合要求严苛的电子系统。
我应如何为我的项目选择合适的Vishay MOSFET？
应考虑电压、电流、Rds(on)以及热性能等参数。SUM110P04-04L-E3提供40V的电压额定值、110A的电流容量和低Rds(on)，适用于高功率和高效率的项目。还应确认其与您的电源电压和驱动电压的兼容性。
Vishay的MOSFET提供哪些保修和技术支持？
Vishay提供可靠的原装半导体器件，配备完整的产品资料和技术支持。关于保修和售后服务，请咨询正规经销商或Vishay官方渠道，以确保产品的质量和正品保障。
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