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CY62136EV30LL-45ZSXI
Infineon Technologies
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
35442 件 新原装 现货
SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mbit Parallel 45 ns 44-TSOP II
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CY62136EV30LL-45ZSXI Infineon Technologies
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CY62136EV30LL-45ZSXI

产品概述

6328690

零件编号

CY62136EV30LL-45ZSXI-DG
CY62136EV30LL-45ZSXI

描述

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

库存

35442 件 新原装 现货
SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mbit Parallel 45 ns 44-TSOP II
存储器
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  • 1 4.0185 4.0185
  • 10 3.5666 35.6655
  • 25 3.4890 87.2247
  • 40 3.4701 138.8025
  • 135 3.0445 411.0106
  • 270 3.1667 855.0190
  • 540 2.9547 1595.5284
  • 945 2.8395 2683.3662
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CY62136EV30LL-45ZSXI 技术规格

类别 内存, 存储器

包装 Tray

系列 MoBL®

产品状态 Active

DiGi-Electronics 可编程 Not Verified

内存类型 Volatile

内存格式 SRAM

科技 SRAM - Asynchronous

内存大小 2Mbit

内存组织 128K x 16

内存接口 Parallel

写入周期时间 - Word、Page 45ns

访问时间 45 ns

电压 - 电源 2.2V ~ 3.6V

工作温度 -40°C ~ 85°C (TA)

安装类型 Surface Mount

包装 / 外壳 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供应商设备包 44-TSOP II

基本产品编号 CY62136

数据表和文档

数据表

CY62136EV30

环境与出口分类

RoHS 状态 ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL) 3 (168 Hours)
REACH 状态 REACH Unaffected
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041

附加信息

标准套餐
135
其他名称
CYPCYPCY62136EV30LL-45ZSXI
2832-CY62136EV30LL-45ZSXI
-CY62136EV30LL
CY62136EV30LL-45ZSXI-DG
2015-CY62136EV30LL-45ZSXI
428-2068
2156-CY62136EV30LL-45ZSXI
CY62136EV30LL45ZSXI
SP005641859
428-2068-DG
448-CY62136EV30LL-45ZSXI

Reviews

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開***刻
十二月 02, 2025
5.0
我一直很滿意他們充足的庫存及及時的售後服務,合作非常順利。
Oisea***antant
十二月 02, 2025
5.0
Le colis était bien protégé et arrivé rapidement, tout simplement parfait.
こ***星
十二月 02, 2025
5.0
サイトのデザインが清潔感があって見やすく、快適なショッピング体験を提供してくれました。
Grace***otion
十二月 02, 2025
5.0
Customer support provided expert guidance, making troubleshooting hassle-free.
Lus***goon
十二月 02, 2025
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DiGi Electronics' support team is attentive and efficient, highly recommended.
Luna***thway
十二月 02, 2025
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WildS***itVibe
十二月 02, 2025
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Glim***Grove
十二月 02, 2025
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Serendi***ySeeker
十二月 02, 2025
5.0
DiGi Electronics provides outstanding after-sales support that truly exceeded my expectations.
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常见问题解答(FAQ)

CY62136EV30LL-45ZSXI SRAM芯片的主要特性有哪些?

CY62136EV30LL-45ZSXI是一款具有并行接口的2兆位异步SRAM,访问时间为45纳秒,适用于高速应用。它采用128K×16的存储结构,支持2.2V至3.6V的电源电压范围,具有优良的性能表现。

CY62136EV30LL-45ZSXI与标准存储接口兼容吗?

是的,该SRAM采用并行接口设计,兼容支持44-TSOP II封装的标准同步和异步存储控制器,方便与现有系统集成。

这种2Mb SRAM芯片的典型应用领域有哪些?

该高速SRAM广泛应用于嵌入式系统、高速缓存、通信设备及工业自动化领域,满足快速数据访问和可靠存储的需求。

选择CY62136EV30LL-45ZSXI SRAM相比其他存储器的主要优势是什么?

其具备45纳秒的高速访问时间、宽广的工作电压范围以及-40°C至85°C的温度范围,确保在苛刻环境下的可靠运行。同时符合RoHS3标准,环保无污染。

我如何购买或获得CY62136EV30LL-45ZSXI SRAM芯片的支持?

该存储芯片提供托盘包装,库存量超过3.1万片。如需购买或技术支持,请联系授权供应商或访问Digi-Electronics获取更多信息和帮助。

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