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CY62146G30-45ZSXA
Infineon Technologies
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
1474 件 新原装 现货
SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mbit Parallel 45 ns 44-TSOP II
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CY62146G30-45ZSXA Infineon Technologies
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CY62146G30-45ZSXA

产品概述

6325312

零件编号

CY62146G30-45ZSXA-DG
CY62146G30-45ZSXA

描述

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

库存

1474 件 新原装 现货
SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mbit Parallel 45 ns 44-TSOP II
存储器
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CY62146G30-45ZSXA 技术规格

类别 内存, 存储器

包装 Tray

系列 MoBL®

产品状态 Active

DiGi-Electronics 可编程 Not Verified

内存类型 Volatile

内存格式 SRAM

科技 SRAM - Asynchronous

内存大小 4Mbit

内存组织 256K x 16

内存接口 Parallel

写入周期时间 - Word、Page 45ns

访问时间 45 ns

电压 - 电源 2.2V ~ 3.6V

工作温度 -40°C ~ 85°C (TA)

安装类型 Surface Mount

包装 / 外壳 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供应商设备包 44-TSOP II

基本产品编号 CY62146

数据表和文档

HTML 数据表

CY62146G30-45ZSXA-DG

环境与出口分类

RoHS 状态 ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL) 3 (168 Hours)
REACH 状态 REACH Unaffected
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041

附加信息

标准套餐
270
其他名称
SP005645083
2015-CY62146G30-45ZSXA
2832-CY62146G30-45ZSXA

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十二月 02, 2025
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常见问题解答(FAQ)

CY62146G30-45ZSXA SRAM芯片的主要功能是什么?

CY62146G30-45ZSXA是一款4兆位异步SRAM芯片,主要用于电子设备中的高速数据存储与读取。它具有45纳秒的快速访问时间,适用于对存储响应速度要求较高的应用场景。

CY62146G30-45ZSXA是否兼容我现有的电子设备?

是的,该SRAM芯片采用并行接口,工作电压范围为2.2V至3.6V,广泛兼容支持44-TSOP II封装及类似电压水平的系统。

在我的项目中使用CY62146G30-45ZSXA SRAM有哪些优势?

这款SRAM具有高速运行、快速的访问和写入周期,能够在-40°C到85°C工业温度范围内稳定可靠运行,并符合RoHS环保标准,确保绿色制造。

我可以大量采购CY62146G30-45ZSXA以满足商业生产需求吗?

可以,目前库存中有1649个单位,适合批量采购和大规模生产。该产品为英飞凌原装正品,质量可靠。

使用和安装CY62146G30-45ZSXA SRAM时应注意哪些事项?

该SRAM采用表面贴装的44-TSOP II封装,需配备相应的表面贴装设备进行安装。使用时应注意防静电、防潮等操作,符合MSL 3潮湿敏感度等级标准。

质量保证 (QC)

DiGi 通过专业检测和批量抽检,确保每个电子元件的品质和真伪,保证可靠的采购、稳定的性能以及符合技术规格,帮助客户降低供应链风险,安心使用元件进行生产。

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假冒伪劣与缺陷防控

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