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PMV100EPAR
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
4315 件 新原装 现货
P-Channel 60 V 2.2A (Ta) 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount TO-236AB
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PMV100EPAR
产品概述
12939054
零件编号
PMV100EPAR-DG
PMV100EPAR
描述
MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB库存
4315 件 新原装 现货
P-Channel 60 V 2.2A (Ta) 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount TO-236AB
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PMV100EPAR 技术规格
类别
晶体管, 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
TrenchMOS™
产品状态
Active
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
2.2A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.2V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
616 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
710mW (Ta), 8.3W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-236AB
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
PMV100
数据表和文档
数据表
PMV100EPA
HTML 数据表
PMV100EPAR-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
1727-PMV100EPARDKR
5202-PMV100EPARTR
934661097215
1727-PMV100EPARCT
1727-PMV100EPARTR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
十二月 02, 2025
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十二月 02, 2025
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十二月 02, 2025
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十二月 02, 2025
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常见问题解答（FAQ）
Nexperia PMV100EPAR P沟道MOSFET的主要特性是什么？
PMV100EPAR是一款拥有60V漏源电压、连续漏极电流2.2A、在10V栅源电压下Rds(on)为130毫欧的P沟道场效应晶体管。它采用TO-236AB封装，适用于表面安装应用，并通过了AEC-Q101汽车级认证，符合汽车电子的严苛要求。
我该如何在电子电路中使用Nexperia PMV100EPAR MOSFET？
该MOSFET非常适合用于汽车和工业电路中的开关和负载控制。其驱动电压建议不低于4.5V，以确保最佳的Rds(on)表现，且能在-55°C至175°C的广泛温度范围内稳定工作，适应各种复杂环境。
Nexperia PMV100EPAR是否兼容不同电压等级？
支持的栅源电压范围可达±20V，最大漏源电压为60V，适用于多种电子设备中的电压控制应用，满足不同电压级别的需求，具有良好的兼容性。
选择Nexperia PMV100EPAR MOSFET有哪些优势？
该MOSFET具有低导通电阻、高效的功率散热能力，以及经过严苛汽车级认证，确保在高要求环境中的可靠性能与能效，为您的项目提供稳定保障。
我在哪里可以购买Nexperia PMV100EPAR MOSFET？售后支持如何？
PMV100EPAR可在授权供应商和分销商处大量采购。如需售后服务或技术支持，请联系Nexperia客户服务中心或授权代理，以获得专业的技术咨询和保修服务。
质量保证 (QC)
DiGi 通过专业检测和批量抽检，确保每个电子元件的品质和真伪，保证可靠的采购、稳定的性能以及符合技术规格，帮助客户降低供应链风险，安心使用元件进行生产。
PMV100EPAR CAD Models
Nexperia USA Inc. PMV100EPAR PCB symbols & footprints
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