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SIR876BDP-T1-RE3
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
1993 件 新原装 现货
N-Channel 100 V 13.6A (Ta), 51.4A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR876BDP-T1-RE3
产品概述
12958796
零件编号
SIR876BDP-T1-RE3-DG制造商
Vishay Siliconix
SIR876BDP-T1-RE3
描述
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW库存
1993 件 新原装 现货
N-Channel 100 V 13.6A (Ta), 51.4A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR876BDP-T1-RE3 技术规格
类别
晶体管, 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET® Gen IV
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
3040 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
5W (Ta), 71.4W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
PowerPAK® SO-8
包装 / 外壳
PowerPAK® SO-8
数据表和文档
数据表
SIR876BDP
HTML 数据表
SIR876BDP-T1-RE3-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
742-SIR876BDP-T1-RE3CT
742-SIR876BDP-T1-RE3TR
742-SIR876BDP-T1-RE3DKR
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