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SQ4917CEY-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
4780 件 新原装 现货
Mosfet Array 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
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SQ4917CEY-T1_GE3
产品概述
12989655
零件编号
SQ4917CEY-T1_GE3-DG制造商
Vishay Siliconix
SQ4917CEY-T1_GE3
描述
MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC库存
4780 件 新原装 现货
Mosfet Array 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
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SQ4917CEY-T1_GE3 技术规格
类别
晶体管, 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源电压 （Vdss）
60V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
65nC @ 10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1910pF @ 30V
功率 - 最大值
5W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包
8-SOIC
基本产品编号
SQ4917
数据表和文档
数据表
SQ4917CEY
HTML 数据表
SQ4917CEY-T1_GE3-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
742-SQ4917CEY-T1_GE3TR
742-SQ4917CEY-T1_GE3CT
742-SQ4917CEY-T1_GE3DKR
替代零件
零件编号
制造商
可用数量
部件编号
单价
替代类型
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SQ4917CEY-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQ4917CEY-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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