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SQ4917EY-T1_BE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
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Mosfet Array 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
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SQ4917EY-T1_BE3

产品概述

12939240

零件编号

SQ4917EY-T1_BE3-DG
SQ4917EY-T1_BE3

描述

MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC

库存

2733 件 新原装 现货
Mosfet Array 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
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SQ4917EY-T1_BE3 技术规格

类别 晶体管, 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列

制造商 Vishay

包装 Tape & Reel (TR)

系列 TrenchFET®

产品状态 Obsolete

科技 MOSFET (Metal Oxide)

配置 2 P-Channel (Dual)

FET 特性 -

漏源电压 (Vdss) 60V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds 1910pF @ 30V

功率 - 最大值 5W (Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)

年级 Automotive

资格 AEC-Q101

安装类型 Surface Mount

包装 / 外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供应商设备包 8-SOIC

基本产品编号 SQ4917

数据表和文档

HTML 数据表

SQ4917EY-T1_BE3-DG

环境与出口分类

RoHS 状态 ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

附加信息

标准套餐
2,500
其他名称
SQ4917EY-T1 BE3
742-SQ4917EY-T1_BE3DKR
742-SQ4917EY-T1_BE3CT
742-SQ4917EY-T1_BE3TR

替代零件

零件编号
制造商
可用数量
部件编号
单价
替代类型
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Seren***ityNow
十二月 02, 2025
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常见问题解答(FAQ)

Vishay SQ4917EY-T1_BE3 MOSFET阵列的主要特点是什么?

Vishay SQ4917EY-T1_BE3 是一款双P沟道MOSFET阵列,额定电压为60V,持续漏极电流为8A,适用于表面贴装应用,采用8引脚SOIC封装。其具有低导通电阻(Rds(on))为48毫欧,适合汽车级电路,可承受高温环境。

Vishay SQ4917EY-T1_BE3 是否适用于汽车电子?

是的,这款MOSFET阵列已通过AEC-Q101认证,非常适合在苛刻条件下可靠运行的汽车电子应用。其工作温度范围从-55°C到175°C,确保在汽车环境中的耐用性。

Vishay SQ4917EY-T1_BE3 与不同电路设计的兼容性如何?

双P沟道配置配合8引脚SOIC表面贴装封装,使这款MOSFET阵列具有良好的适应性,便于在各种电路布局中集成,尤其适用于电源管理和负载切换场景。

选择Vishay SQ4917EY-T1_BE3相比其他MOSFET阵列的优势是什么?

该MOSFET阵列具有低导通电阻、高功率散热能力(最高达5W)和强大的温度适应性,能实现高效开关,减少热量生成,保证关键应用中的可靠性。

关于Vishay SQ4917EY-T1_BE3的库存情况和支持资料,用户应注意什么?

目前该产品库存充足,有3,765个单位在库,并符合RoHS3环保标准。由于该型号已标记为停产,建议提前确认库存状态,并在必要时选择合适的替代方案以保障项目需求。

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