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SI7945DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO8
9661 件 新原装 现货
Mosfet Array 30V 7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7945DP-T1-GE3
产品概述
13062417
零件编号
SI7945DP-T1-GE3-DG制造商
Vishay Siliconix
SI7945DP-T1-GE3
描述
MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO8库存
9661 件 新原装 现货
Mosfet Array 30V 7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7945DP-T1-GE3 技术规格
类别
晶体管, 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
包装
-
制造者
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
30V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 10.9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
74nC @ 10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
-
功率 - 最大值
1.4W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
PowerPAK® SO-8 Dual
供应商设备包
PowerPAK® SO-8 Dual
基本产品编号
SI7945
数据表和文档
HTML 数据表
SI7945DP-T1-GE3-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
SI7945DP-T1-GE3DKR
SI7945DPT1GE3
SI7945DP-T1-GE3CT
SI7945DP-T1-GE3TR
替代零件
零件编号
制造商
可用数量
部件编号
单价
替代类型
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
十二月 02, 2025
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常见问题解答（FAQ）
Vishay SI7945DP-T1-GE3 MOSFET阵列的主要特征有哪些？
Vishay SI7945DP-T1-GE3是一款双P沟道MOSFET阵列，最大漏源电压为30V，连续漏电流为7A。其具有逻辑电平门控、低导通电阻（Rds(on)）仅为20毫欧，专为表面贴装应用设计，采用PowerPAK® SO-8双封装。
该双P沟道MOSFET阵列的典型应用有哪些？
该MOSFET阵列适用于负载开关、电源管理和电压调节电路，尤其在需要高效高速开关和紧凑表面贴装设计的场合。广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子领域。
Vishay SI7945DP-T1-GE3与不同电路电压的兼容性如何？
该MOSFET阵列可在漏源电压高达30V的环境下正常工作，且在逻辑电平门控电压最低可达3V的情况下完全兼容，适配多种电压水平的电路使用需求。
选择此款MOSFET阵列相较于其他有哪些优势？
该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高浪涌电流承载能力以及紧凑的表面贴装封装设计，提升电路效率同时节省空间。逻辑电平门控设计，便于低电压控制电路直接驱动。
Vishay SI7945DP-T1-GE3是否提供可靠的售后支持和质保？
作为Vishay全新原装产品，该MOSFET阵列享受制造商标准的质控保障。具体保修政策可根据经销商而定，但Vishay提供可靠的技术支持和详细的产品资料，确保正确应用与售后服务。
质量保证 (QC)
DiGi 通过专业检测和批量抽检，确保每个电子元件的品质和真伪，保证可靠的采购、稳定的性能以及符合技术规格，帮助客户降低供应链风险，安心使用元件进行生产。
SI7945DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SI7945DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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