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SI7997DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
17233 件 新原装 现货
Mosfet Array 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7997DP-T1-GE3
产品概述
12786528
零件编号
SI7997DP-T1-GE3-DG制造商
Vishay Siliconix
SI7997DP-T1-GE3
描述
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8库存
17233 件 新原装 现货
Mosfet Array 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7997DP-T1-GE3 技术规格
类别
晶体管, 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
TrenchFET®
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源电压 （Vdss）
30V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.2V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
160nC @ 10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
6200pF @ 15V
功率 - 最大值
46W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
PowerPAK® SO-8 Dual
供应商设备包
PowerPAK® SO-8 Dual
基本产品编号
SI7997
数据表和文档
数据表
SI7997DP
HTML 数据表
SI7997DP-T1-GE3-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
SI7997DP-T1-GE3DKR
SI7997DP-T1-GE3TR
SI7997DP-T1-GE3CT
SI7997DPT1GE3
替代零件
零件编号
制造商
可用数量
部件编号
单价
替代类型
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
十二月 02, 2025
包裝設計非常耐用，讓我對他們的品質充滿信心。
十二月 02, 2025
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十二月 02, 2025
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常见问题解答（FAQ）
Vishay SI7997DP-T1-GE3 MOSFET阵列的主要特点是什么？
Vishay SI7997DP-T1-GE3是一款双P通道MOSFET阵列，专为表面贴装应用设计，最大漏源电压为30V，连续漏电流为60A，20A时Rds(on)低至5.5毫欧。其采用PowerPAK® SO-8双封装，适用于高功率和高速开关电路。
我如何在电子项目中使用Vishay SI7997DP-T1-GE3 MOSFET？
这些MOSFET适用于电源管理、负载开关和电机控制等应用，能够实现高效切换和低导通损耗。其表面贴装设计适合紧凑、高性能的电路板布局。
Vishay SI7997DP-T1-GE3是否兼容标准的表面贴装焊接工艺？
是的，该MOSFET阵列采用PowerPAK® SO-8双封装，兼容主流的表面贴装焊接技术，便于集成到现代PCB设计中。
在该MOSFET阵列中采用Vishay的TrenchFET®技术有哪些优点？
TrenchFET®技术带来更低的Rds(on)、更高的效率以及改进的开关性能，有助于减少散热并提升电源应用的整体可靠性。
Vishay SI7997DP-T1-GE3是否提供保修或售后支持？
作为一款全新、原装、现货产品，通常享有厂家支持和RoHS3标准的合规保障，确保产品质量与环境安全。具体保修政策请咨询您的供应商。
质量保证 (QC)
DiGi 通过专业检测和批量抽检，确保每个电子元件的品质和真伪，保证可靠的采购、稳定的性能以及符合技术规格，帮助客户降低供应链风险，安心使用元件进行生产。
SI7997DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SI7997DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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