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SI7983DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO8
1043 件 新原装 现货
Mosfet Array 20V 7.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7983DP-T1-GE3
产品概述
13010814
零件编号
SI7983DP-T1-GE3-DG制造商
Vishay Siliconix
SI7983DP-T1-GE3
描述
MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO8库存
1043 件 新原装 现货
Mosfet Array 20V 7.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7983DP-T1-GE3 技术规格
类别
晶体管, 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
包装
-
制造者
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
20V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
7.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 600µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
74nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
-
功率 - 最大值
1.4W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
PowerPAK® SO-8 Dual
供应商设备包
PowerPAK® SO-8 Dual
基本产品编号
SI7983
数据表和文档
HTML 数据表
SI7983DP-T1-GE3-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
附加信息
标准套餐
3,000
替代零件
零件编号
制造商
可用数量
部件编号
单价
替代类型
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