SQ4917EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
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SQ4917EY-T1_GE3

产品概述

12786459

零件编号

SQ4917EY-T1_GE3-DG

制造商

Vishay Siliconix
SQ4917EY-T1_GE3

描述

MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC

库存

6387 件 新原装 现货
Mosfet Array 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
场效应管, MOSFET阵列
SQ4917EY-T1_GE3 数据表
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最低1

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SQ4917EY-T1_GE3 技术规格

类别 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列

制造商 Vishay

包装 Tape & Reel (TR)

系列 TrenchFET®

产品状态 Obsolete

科技 MOSFET (Metal Oxide)

配置 2 P-Channel (Dual)

FET 特性 -

漏源电压 （Vdss） 60V

电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C 8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs（th） （最大值） @ Id 2.5V @ 250µA

栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs 65nC @ 10V

输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds 1910pF @ 30V

功率 - 最大值 5W (Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C (TA)

年级 Automotive

资格 AEC-Q101

安装类型 Surface Mount

包装 / 外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供应商设备包 8-SOIC

基本产品编号 SQ4917

数据表和文档

数据表

下载 SQ4917EY-T1_GE3 产品规格 (PDF)
数据表

SQ4917EY
HTML 数据表

SQ4917EY-T1_GE3-DG

环境与出口分类

RoHS 状态 ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL） 1 (Unlimited)
REACH 状态 Vendor Undefined
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

附加信息

标准套餐
2,500
其他名称
SQ4917EY-T1_GE3TR-DG
742-SQ4917EY-T1_GE3DKR
SQ4917EY-T1_GE3TR
742-SQ4917EY-T1_GE3TR
SQ4917EY-T1_GE3CT
742-SQ4917EY-T1_GE3CT
SQ4917EY-T1_GE3CT-DG

替代模型

零件编号
制造商
可用数量
部件编号
单价
替代类型
DMP6050SSD-13
Diodes Incorporated
37781
DMP6050SSD-13-DG
0.26
MFR Recommended
SQ4917CEY-T1_GE3
Vishay Siliconix
3785
SQ4917CEY-T1_GE3-DG
0.43
MFR Recommended
SQ4917EY-T1_BE3
Vishay Siliconix
22333
SQ4917EY-T1_BE3-DG
0.58
Direct
数字证书
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
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