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SQ4917EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
1422 件 新原装 现货
Mosfet Array 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
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SQ4917EY-T1_GE3
产品概述
12786459
零件编号
SQ4917EY-T1_GE3-DG制造商
Vishay Siliconix
SQ4917EY-T1_GE3
描述
MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC库存
1422 件 新原装 现货
Mosfet Array 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
数量
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SQ4917EY-T1_GE3 技术规格
类别
晶体管, 场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
TrenchFET®
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源电压 （Vdss）
60V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
65nC @ 10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1910pF @ 30V
功率 - 最大值
5W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TA)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包
8-SOIC
基本产品编号
SQ4917
数据表和文档
数据表
SQ4917EY
HTML 数据表
SQ4917EY-T1_GE3-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
SQ4917EY-T1_GE3TR-DG
742-SQ4917EY-T1_GE3DKR
SQ4917EY-T1_GE3TR
742-SQ4917EY-T1_GE3TR
SQ4917EY-T1_GE3CT
742-SQ4917EY-T1_GE3CT
SQ4917EY-T1_GE3CT-DG
替代零件
零件编号
制造商
可用数量
部件编号
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替代类型
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十二月 02, 2025
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常见问题解答（FAQ）
Vishay SQ4917EY-T1_GE3 MOSFET阵列的主要功能是什么？
Vishay SQ4917EY-T1_GE3是一款双P沟道MOSFET阵列，广泛应用于开关和电源管理领域，在汽车电子和工业电子中提供可靠的性能。
Vishay的MOSFET阵列是否兼容汽车应用？
是的，这款MOSFET阵列已通过AEC-Q101认证，适用于汽车应用，确保车辆系统的高可靠性。
SQ4917EY-T1_GE3 MOSFET阵列的主要电气参数有哪些？
其漏源电压为60V，25°C时连续漏电流为8A，最大Rds(on)为48毫欧，在4.3A、10V门极电压条件下保证高效开关性能，具有低导通电阻。
该MOSFET阵列提供哪些封装和安装选项？
产品采用8脚SOIC表面贴装封装，带有带卷包装（Tape & Reel），适合自动化贴装工艺。
关于Vishay SQ4917EY-T1_GE3 MOSFET的库存和保修信息，我应该了解什么？
目前库存有1721件，全部为全新原装，符合RoHS3环保标准。但请注意，该产品已标记为停产，购买前请确认库存情况。
质量保证 (QC)
DiGi 通过专业检测和批量抽检，确保每个电子元件的品质和真伪，保证可靠的采购、稳定的性能以及符合技术规格，帮助客户降低供应链风险，安心使用元件进行生产。
SQ4917EY-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQ4917EY-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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